Сборки из транзисторов полевых N-канал + N-канал

44 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03
Корпус: SOT-143
быстрый просмотр
267 ֏
157 ֏
×
от 50 шт. — 141 ֏
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
299 ֏
×
от 25 шт. — 287 ֏
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
479 ֏
291 ֏
×
от 50 шт. — 258 ֏
IRF7380TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 80В, 3.6А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.073 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
910 ֏
560 ֏
×
от 25 шт. — 550 ֏
AO4826, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6.3А 4Вт [SOP-8]
3 недели, 4386 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/4.5A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
4386 шт.
82 ֏ ×
от 50 шт. — 75 ֏
AO4828, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6.5А 2.1Вт [SOP-8]
3 недели, 1367 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOP-8
быстрый просмотр
3 недели,
1367 шт.
87 ֏ ×
от 100 шт. — 79 ֏
AO4832, Транзистор N-MOSFET 30В 10А 2Вт [SOP-8]
3 недели, 2791 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0108 Ом/10A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 43
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
2791 шт.
61 ֏ ×
от 50 шт. — 56 ֏
AO4840, Транзистор 2N-MOSFET 60В 7А 4Вт [SOP-8]
3 недели, 2869 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 19 мОм/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOP-8/SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
2869 шт.
111 ֏ ×
от 100 шт. — 100 ֏
AO4884, Транзистор 2N-MOSFET 40В 10А 2Вт [SOP-8]
3 недели, 3968 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/10A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 50
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
3968 шт.
77 ֏ ×
от 50 шт. — 69 ֏
AO6800, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5А 1.14Вт [SOT23-6]
3 недели, 4394 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/3.4A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.14
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
3 недели,
4394 шт.
40 ֏ ×
от 50 шт. — 35 ֏
AO6802, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5A 1.15Вт [SOT-23-6]
3 недели, 2995 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 40 мОм/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
3 недели,
2995 шт.
66 ֏ ×
от 100 шт. — 59 ֏
BSS138PS, Транзистор 2N-MOSFET 60В 0.3А 0.35Вт [SOT-23-6]
3 недели, 3386 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.1
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
3 недели,
3386 шт.
13 ֏ ×
от 100 шт. — 11 ֏
CEM9926A, Транзистор 2N-MOSFET 20В 6А [SOP-8]
3 недели, 3307 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/7A/4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: SOP-8
быстрый просмотр
3 недели,
3307 шт.
65 ֏ ×
от 100 шт. — 57 ֏
IRF7301TR, Транзистор 2N-MOSFET 20В 5.2А 2Вт [SOP-8]
3 недели, 8383 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
8383 шт.
91 ֏ ×
от 50 шт. — 82 ֏
IRF7303TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
3 недели, 5135 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
5135 шт.
91 ֏ ×
от 50 шт. — 82 ֏
IRF7313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 6.5А 2Вт [SOP-8]
3 недели, 5312 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
5312 шт.
98 ֏ ×
от 50 шт. — 90 ֏
IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8]
3 недели, 3274 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
3274 шт.
91 ֏ ×
от 50 шт. — 82 ֏
IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8]
3 недели, 2406 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
2406 шт.
167 ֏ ×
от 50 шт. — 151 ֏
NDC7002N, Транзистор 2N-MOSFET 50В 0.51А 0.96Вт [SOT-23-6]
3 недели, 2016 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 Ом/0.51A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 0.4
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
3 недели,
2016 шт.
53 ֏ ×
от 100 шт. — 48 ֏
SI9945BDY, Транзистор 2N-MOSFET 60В 4.3А 1.7Вт [SOP-8]
3 недели, 3000 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 25 мОм/4.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOP-8/SOIC-8
быстрый просмотр
3 недели,
3000 шт.
119 ֏ ×
от 100 шт. — 108 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60