Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.10

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

MUN5214T1G, Транзистор Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	5 ֏ ×
MUN5233T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, AEC-Q100, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 47 кОм Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	85 ֏ 40 ֏ × от 5 шт. — 21 ֏
NCV1413BDR2G, Транзистор Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	204 ֏ × от 5 шт. — 202 ֏
NSBC123JPDXV6T1G Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	402 ֏ × от 5 шт. — 299 ֏
NSS60201LT1G, Транзистор Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	110 ֏ × от 5 шт. — 90 ֏
SMMBT3904LT1G, Транзистор NPN 40В 0.2А 300мВт Automotive SOT-23-3 T/R Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	85 ֏ 37 ֏ × от 100 шт. — 33 ֏
TIP101G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 8А, 2Вт, TO220AB Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	610 ֏ × от 5 шт. — 510 ֏
TIP110G, Транзистор составной NPN 60В 2A [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn darlington Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр	364 ֏ 233 ֏ × от 5 шт. — 225 ֏
TIP147TU, Дарлингтон PNP 100В 10А 125Вт [TO-3P] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 125 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	1 080 ֏ × от 15 шт. — 980 ֏
TIP41AG, Транзистор Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	381 ֏ × от 5 шт. — 299 ֏
TIP42CTU, Транзистор PNP -100В -6А 65Вт[TO-220SG] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65 Корпус: TO-220SG	быстрый просмотр	143 ֏ × от 15 шт. — 133 ֏
TIP48G, Транзистор Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	421 ֏ × от 5 шт. — 337 ֏
2N2222A, Транзистор биполярный (NPN 40В 0,8A TO18) Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	324 ֏ ×
2N3904TA, Транзистор биполярный TO92 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	101 ֏ ×
2N3906TA, Транзистор: PNP, биполярный, 40В, 0,2А, 625мВт, TO92 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	93 ֏ × от 100 шт. — 76 ֏ от 500 шт. — 64 ֏
2N5192G, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 4А, 40Вт, TO225 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1 430 ֏ × от 5 шт. — 850 ֏
2N6036G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 80В, 4А, 40Вт, TO225AA Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	760 ֏ ×
2N6043G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 8А, 75Вт, TO220-3 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1 390 ֏ ×
2SC5707-TL-E, Транзистор: NPN Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	890 ֏ ×
50C02CH-TL-E, Транзистор: NPN Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	307 ֏ × от 25 шт. — 223 ֏

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.10

ООО «ЧИП и ДИП»