Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.6

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

MJE15033G, Транзистор PNP 250В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 400 ֏ 810 ֏ × от 15 шт. — 800 ֏
MJE15034G, Транзистор NPN 350В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 460 ֏ 860 ֏ × от 15 шт. — 840 ֏
MJE15035G, Транзистор PNP 350В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 280 ֏ 790 ֏ × от 15 шт. — 770 ֏
MJE243G, Транзистор NPN 100В 4А [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: to-126	быстрый просмотр	407 ֏ 226 ֏ × от 15 шт. — 211 ֏
MJE253G, Транзистор PNP 100В 4А [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: to-126	быстрый просмотр	425 ֏ 237 ֏ × от 15 шт. — 221 ֏
MJE270G, Транзистор, [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn darlington Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1500 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 6 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: to-126	быстрый просмотр	340 ֏ 285 ֏ × от 15 шт. — 261 ֏
MJE340G, Транзистор NPN 300В 0.5А [TO-126] (=KSE340) Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20 Корпус: to-126	быстрый просмотр	382 ֏ 209 ֏ × от 15 шт. — 191 ֏
MJE350G, Транзистор PNP 300В 500мА [ТО-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20 Корпус: to-126	быстрый просмотр	407 ֏ 239 ֏ × от 15 шт. — 221 ֏
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 14 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 13 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 35 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	2 610 ֏ 1 520 ֏ × от 15 шт. — 1 510 ֏
MJH11021G, Транзистор PNP Darlington 250В 15А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp darlington Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 400 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	4 910 ֏ 3 050 ֏ × от 15 шт. — 2 930 ֏
MJL1302AG, Транзистор PNP 15A 200V, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	4 310 ֏ 2 770 ֏ × от 15 шт. — 2 740 ֏
MJL21193G, Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	4 670 ֏ 3 080 ֏ × от 15 шт. — 3 050 ֏
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	5 400 ֏ 3 580 ֏ × от 15 шт. — 3 550 ֏
MJL3281AG, Транзистор, NPN, аудио, 260 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 150 hFE, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	3 820 ֏ 2 490 ֏ × от 15 шт. — 2 470 ֏
MJL4302AG, Транзистор PNP 350В 15А [ТО-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 230 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	6 900 ֏ 4 620 ֏ × от 15 шт. — 4 560 ֏
MJW21193G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	2 900 ֏ × от 15 шт. — 2 870 ֏
MJW21194G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	4 250 ֏ 2 760 ֏ × от 15 шт. — 2 730 ֏
MJW21196G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	4 670 ֏ 3 260 ֏ × от 15 шт. — 3 200 ֏
MMBTH81, ВЧ транзистор, PNP, 20В, 50мА 225мВт [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 600 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	104 ֏ 68 ֏ × от 50 шт. — 55 ֏
MMUN2111LT1G, Транзистор PNP Digital 50В 100мА [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp с 2 резисторами Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	79 ֏ 31 ֏ × от 100 шт. — 23 ֏

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.6

ООО «ЧИП и ДИП»