Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.7

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	55 ֏ 18 ֏ × от 100 шт. — 11 ֏
MMUN2211LT1G, Транзистор, Digital NPN, 50В, 100мА, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	73 ֏ 21 ֏ × от 100 шт. — 13 ֏
MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn c 2 резисторами Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	73 ֏ 24 ֏ × от 100 шт. — 16 ֏
MMUN2235LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=2.2 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3] (AA2) ( аналог BCR108E6327HTSA1) Бренд: ON Semiconductor Структура: npn с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	49 ֏ 18 ֏ × от 100 шт. — 15 ֏
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.23 Корпус: SC-59	быстрый просмотр	73 ֏ 25 ֏ × от 100 шт. — 17 ֏
NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE], Транзистор, NPN/PNP,аудио, 250В, 15А, 150 Вт, 30 МГц [TO-3P] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn+pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	4 790 ֏ 3 090 ֏ × от 15 пар. — 3 060 ֏
PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	128 ֏ 65 ֏ × от 100 шт. — 58 ֏
PZT751T1G, Транзистор PNP -60В -2А [SOT-223] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 75 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.8 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	316 ֏ 186 ֏ × от 50 шт. — 166 ֏
SMMBTA56LT1G, Транзистор PNP 80В 0.5А [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	37 ֏ 20 ֏ × от 100 шт. — 17 ֏
TIP122G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт, [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65 Корпус: to-220	быстрый просмотр	382 ֏ 204 ֏ × от 15 шт. — 184 ֏
TIP31CG, Транзистор, NPN, 100В, 3А, (=КТ817Г), [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр	590 ֏ 317 ֏ × от 15 шт. — 301 ֏
TIP32CG, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 40 Вт(=КТ816Г), [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр	590 ֏ 300 ֏ × от 15 шт. — 285 ֏
TIP33CG, Транзистор NPN 100В 10А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	2 430 ֏ 1 460 ֏ × от 15 шт. — 1 430 ֏
TIP41CG, Транзистор NPN 100В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65 Корпус: to-220	быстрый просмотр	730 ֏ 358 ֏ × от 15 шт. — 341 ֏
TIP42CG, Транзистор PNP -100В -6А 65Вт [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65 Корпус: to-220	быстрый просмотр	790 ֏ 463 ֏ × от 15 шт. — 441 ֏
2N3055G, Транзистор NPN 60V 15A, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20…70 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 115 Корпус: то-3	быстрый просмотр	3 880 ֏ 2 460 ֏ × от 50 шт. — 2 290 ֏
2N4403G, Транзистор PNP 40В 0.6А [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.63 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	43 ֏ × от 100 шт. — 35 ֏
2N6027G, Транзистор однопереходный 40В 0.15A 0.35Вт [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 25 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	255 ֏ 150 ֏ × от 15 шт. — 143 ֏
2N6036G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 Вт, 4 А, 100 hFE Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	970 ֏ ×
2SC5569-TD-E, Транзистор GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	197 ֏ × от 5 шт. — 195 ֏

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.7

ООО «ЧИП и ДИП»