Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2N7002,215, Транзистор, N-канал, 60В, 0.3А [SOT-23] 6631 шт. Бренд: Nexperia Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	6631 шт.	128 ֏ 68 ֏ × от 100 шт. — 56 ֏
2N7002K, Транзистор N-MOSFET 60В 0.3А [SOT-23-3] (2N7002K-T1-GE3) 7015 шт. Бренд: Hottech Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	7015 шт.	49 ֏ 16 ֏ × от 100 шт. — 12 ֏
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		79 ֏ 47 ֏ × от 100 шт. — 39 ֏
2SK170-BL, Транзистор, N-канал [TO-92] 1315 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.01 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.4 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: TO-92/SC-43/2-5F1D	быстрый просмотр	1315 шт.	910 ֏ 492 ֏ ×
2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P] 833 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 7 Корпус: SC-65/2-16C1B	быстрый просмотр	833 шт.	2 670 ֏ 1 740 ֏ ×
AO3400A, Транзистор N-MOSFET 30В 5.7А [SOT-23-3] Бренд: Alpha & Omega Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0265 Ом/5.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 33 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		425 ֏ 239 ֏ × от 100 шт. — 226 ֏
AO3401A, Транзистор P-MOSFET 30В 4А [SOT-23-3] Бренд: Alpha & Omega Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/4.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		425 ֏ 190 ֏ × от 100 шт. — 148 ֏
AO3407A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.3A [SOT-23-3] Бренд: Alpha & Omega Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.048 Ом/4.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		530 ֏ 249 ֏ × от 25 шт. — 190 ֏
AO4407AL, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/12А, 20В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		730 ֏ 416 ֏ × от 25 шт. — 401 ֏
AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В/0.028 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15/18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		540 ֏ 317 ֏ × от 25 шт. — 301 ֏
AON6414AL, Транзистор MOSFET N-канал 30В [DFN-8 (5x6)] Бренд: Alpha & Omega Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.3 Корпус: DFN-8(5X6)	быстрый просмотр		890 ֏ × от 10 шт. — 880 ֏
AON6512, МОП-транзистор, N-канальный, 30 В, 54 А, [DFN-8 5X6 EP] Бренд: Alpha & Omega Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 54 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0017 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 7.4 Крутизна характеристики, S: 85 Корпус: DFN-8(5X6)	быстрый просмотр		730 ֏ × от 15 шт. — 700 ֏
AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8] 227 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/6.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/7А, 10В/0.04 Ом/6.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 9/9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	227 шт.	590 ֏ 316 ֏ × от 10 шт. — 291 ֏
AP4525GEH, Транзистор, N+ P-канал, 40В, 15/-12А, 28/42мОм [TO-252-4L] 516 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15/12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/15А, 10В/0.042 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 10.4 Крутизна характеристики, S: 6/5 Корпус: DPAK-5(4 Leads+Tab)	быстрый просмотр	516 шт.	730 ֏ 348 ֏ × от 15 шт. — 321 ֏
AUIRLR2905Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 60А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		1 940 ֏ 1 290 ֏ × от 15 шт. — 1 250 ֏
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03 Корпус: SOT-143	быстрый просмотр		267 ֏ 157 ֏ × от 50 шт. — 141 ֏
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Крутизна характеристики, S: 0.32 Корпус: TO-92	быстрый просмотр		140 ֏ 82 ֏ × от 100 шт. — 71 ֏
BSC350N20NSFDATMA1, Транзистор MOSFET N-канал 200В 35А [TDSON-8 EP] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/35А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: PG-TDSON-8	быстрый просмотр		1 460 ֏ 980 ֏ × от 15 шт. — 970 ֏
BSH201,215, Транзистор MOSFET P-CH 60В 0.3А [SOT-23] 1248 шт. Бренд: Nexperia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/0.16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.417 Крутизна характеристики, S: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	1248 шт.	164 ֏ 85 ֏ × от 100 шт. — 76 ֏
BSS138, Транзистор, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-23-3] (=BSS138LT1G, BSS138-7-F) 12315 шт. Бренд: Hottech Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/0.22А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 0.1 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	12315 шт.	31 ֏ 16 ֏ × от 100 шт. — 12 ֏

Транзисторы полевые – полупроводниковые приборы, через которые протекают потоки носителей электрического заряда. Эти потоки регулируются поперечным электрическим полем, создаваемым при помощи напряжения, приложенного между стоком и затвором или истоком и затвором (сток и исток – внешние слои полупроводников, затвор – внутренний).

Принцип работы полевых транзисторов основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа (электроны или дырки), в отличие от биполярных транзисторов, у которых два типа носителей заряда.

Получить заказ вы можете в нашем офисе и пункте выдаче в Ереване.
Доставка товаров осуществляется по всей Армении курьером и HayPost. Закажите доставку в Ереван, Гюмри, Ванадзор и еще в более, чем 40 городов и населенных пунктов Армении.

Товары из группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)» вы можете купить оптом и в розницу.

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

ООО «ЧИП и ДИП»