Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2 190 ֏
×
1 380 ֏ от 5 шт. — 1 360 ֏
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 160 ֏
×
730 ֏ от 5 шт. — 720 ֏
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 400 ֏
×
840 ֏ от 5 шт. — 790 ֏
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
2 430 ֏
×
1 460 ֏ от 5 шт. — 1 450 ֏
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 940 ֏
×
1 420 ֏ от 5 шт. — 1 350 ֏
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
3 100 ֏
×
2 060 ֏ от 15 шт. — 1 950 ֏
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
6 400 ֏
×
3 980 ֏ от 5 шт. — 3 930 ֏
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 460 ֏
×
1 020 ֏ от 15 шт. — 930 ֏
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
5 200 ֏
×
3 390 ֏ от 5 шт. — 3 380 ֏
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
910 ֏
×
467 ֏ от 5 шт. — 423 ֏
|
||
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
2 190 ֏
×
1 180 ֏ от 5 шт. — 1 160 ֏
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DFN-8 EP(3x3)
|
быстрый просмотр |
910 ֏
×
530 ֏ от 5 шт. — 491 ֏
|
||
Бренд: Fairchild
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 13
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: SOT-23-5
|
быстрый просмотр |
1 820 ֏
×
1 110 ֏ от 5 шт. — 1 080 ֏
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 280 ֏
×
710 ֏ от 5 шт. — 690 ֏
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 940 ֏
×
1 140 ֏ от 5 шт. — 1 120 ֏
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: SOP-14 (0.209 inch)
|
быстрый просмотр |
2 430 ֏
×
1 500 ֏ от 5 шт. — 1 480 ֏
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 160 ֏
×
820 ֏ от 5 шт. — 810 ֏
|
||
11 дней, 91 шт.
Бренд: Intersil
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 4
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 8.5…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 95
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: soic-16(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 11 дней, 91 шт. |
4 220 ֏
×
от 15 шт. — 4 010 ֏
|
|
11 дней, 87 шт.
Бренд: Intersil
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 4
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 8.5…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 95
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: DIP-16(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 11 дней, 87 шт. |
5 300 ֏
×
от 15 шт. — 5 100 ֏
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…18
Логическое напряжение (VIL), В: 2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.15
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 7
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 18
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 940 ֏
×
1 210 ֏ от 5 шт. — 1 190 ֏
|