Драйверы MOSFET и IGBT, стр.4

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Конфигурация
сбросить
Тип канала
сбросить
Кол-во каналов
сбросить
Тип управляемого затвора
сбросить
Напряжение питания, В
сбросить
Логическое напряжение (VIL), В
сбросить
Логическое напряжение (VIH), В
сбросить
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
сбросить
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
сбросить
Тип входа
сбросить
Максимальное напряжение смещения, В
сбросить
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
сбросить
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
сбросить
Рабочая температура, °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IR2183STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
3 340 ֏
2 010 ֏
×
от 5 шт. — 1 980 ֏
IR21844PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-14]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
быстрый просмотр
2 850 ֏
1 940 ֏
×
от 5 шт. — 1 930 ֏
IR2184PBF, Драйвер H/B 1.9/2.3А [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
2 310 ֏
1 570 ֏
×
от 15 шт. — 1 490 ֏
IR2184SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 660 ֏
×
от 15 шт. — 1 570 ֏
IR2213PBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, Half-Bridge, 2А/2.5А [DIP-14]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 1200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
быстрый просмотр
7 900 ֏
5 500 ֏
×
от 5 шт. — 5 400 ֏
IR2213STRPBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, Half-Bridge, 2А/2.5А [SOIC-16W]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 1200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
быстрый просмотр
7 200 ֏
4 870 ֏
×
от 5 шт. — 4 830 ֏
IR2233JPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [PLCC-44, 32 pins]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 1200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 90
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)
быстрый просмотр
10 700 ֏
7 600 ֏
×
от 5 шт. — 7 500 ֏
IR25600STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня [SO-8N]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
2 370 ֏
1 280 ֏
×
от 5 шт. — 1 140 ֏
IR25603STRPBF, Тактируемый полумостовой драйвер, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 030 ֏
×
от 5 шт. — 1 000 ֏
IR25607SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side [SOIC-16W]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
быстрый просмотр
2 670 ֏
1 650 ֏
×
от 5 шт. — 1 630 ֏
IR4426PBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня, [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
2 850 ֏
1 850 ֏
×
от 5 шт. — 1 830 ֏
IR4426STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
1 520 ֏
1 010 ֏
×
от 10 шт. — 950 ֏
IR4427STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня [SOIC-8] (=IR4427SPBF)
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
570 ֏ ×
от 15 шт. — 520 ֏
IRS10752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 100В 160/240мА [SOT-23-6L]
Бренд: Infineon
Конфигурация: High-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 100
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
1 400 ֏
870 ֏
×
от 5 шт. — 850 ֏
IRS2011STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
2 770 ֏ ×
от 5 шт. — 2 730 ֏
IRS20752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 200В 160/240мА [SOT-23-6L]
Бренд: Infineon
Конфигурация: High-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 85
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
1 940 ֏
1 100 ֏
×
от 5 шт. — 1 080 ֏
быстрый просмотр
970 ֏
680 ֏
×
IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
быстрый просмотр
2 850 ֏
1 750 ֏
×
от 5 шт. — 1 730 ֏
IRS2113SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, High и Low-Side [SOIC-16W]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
быстрый просмотр
2 430 ֏
2 170 ֏
×
от 5 шт. — 2 070 ֏
IRS21531DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
1 120 ֏ ×
от 5 шт. — 1 100 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60