Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.7

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

UCC27324D, MOSFET-драйвер 4А [SOIC-8] Бренд: Texas Instruments Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+125(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 700 ֏ 1 050 ֏ × от 5 шт. — 1 000 ֏
UCC27324P, MOSFET-драйвер 4А [DIP-8] Бренд: Texas Instruments	быстрый просмотр	2 850 ֏ 1 990 ֏ × от 50 шт. — 1 850 ֏
UCC27424DR, Драйвер MOSFET DUAL HS 4A [SO-8] Бренд: Texas Instruments Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+125(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 400 ֏ 880 ֏ × от 10 шт. — 820 ֏
UCC27425D, MOSFET драйвер Low-Side х 2, 4А [SOIC-8] Бренд: Texas Instruments Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+125(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 160 ֏ 740 ֏ × от 15 шт. — 690 ֏
UCC37321P, Драйвер MOSFET SGL HS 9A [DIP-8] Бренд: Texas Instruments Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1.1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 9 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: 0…+70(TA) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	3 400 ֏ 2 130 ֏ × от 10 шт. — 2 110 ֏
UCC37322P, Одноканальный, высокоскоростной драйвер ключа нижнего уровня с функцией включения, [PDIP-8] Бренд: Texas Instruments Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1.1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 9 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: 0…+70(TA) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	3 340 ֏ 2 080 ֏ × от 10 шт. — 2 060 ֏
UCC37324P, Двухканальный, высокоскоростной драйвер ключа нижнего уровня, 4А, [PDIP-8] Бренд: Texas Instruments Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 110 ֏ × от 10 шт. — 1 100 ֏
ZXGD3003E6TA, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side, 5А [SOT-23-6] Бренд: Diodes Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 40(Max) Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 8.9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 8.9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	790 ֏ 484 ֏ × от 5 шт. — 456 ֏
1EDI20I12MF, IGBT-драйвер [SOIC-8] Бренд: Infineon	быстрый просмотр	1 150 ֏ × от 3 шт. — 1 110 ֏
2ED21824S06JXUMA1, Электроэлемент, Схема интегральная; 2ED21824S06JXUMA1@INFIN Бренд: Infineon	быстрый просмотр	1 230 ֏ × от 5 шт. — 1 110 ֏
FAN7382M, Драйвер полумостовой, SO8 Бренд: Fairchild	быстрый просмотр	890 ֏ ×
FAN7382M1X, Микросхема Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	640 ֏ ×
FAN73832M, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8] Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1 810 ֏ × от 5 шт. — 1 710 ֏
IR2101SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	680 ֏ × от 5 шт. — 660 ֏
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 140 ֏ ×
IR2110SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, 500В, 2А [SO-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	1 680 ֏ × от 5 шт. — 1 660 ֏
IR21364STRPBF Бренд: Infineon	быстрый просмотр	7 500 ֏ × от 5 шт. — 7 100 ֏
IR2152S, Автоколебательный полумостовой драйвер [SOIC-8] Бренд: Infineon	быстрый просмотр	1 880 ֏ × от 5 шт. — 1 760 ֏
IR25607STRPBF, Драйвер верх. и ниж. плеча 600В 2А/2А SOIC8N Бренд: Infineon	быстрый просмотр	2 740 ֏ ×
IRS2001SPBF, Микросхема Бренд: Infineon	быстрый просмотр	295 ֏ × от 5 шт. — 282 ֏

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.7

ООО «ЧИП и ДИП»