Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
быстрый просмотр |
295 ֏
×
от 5 шт. — 282 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
402 ֏
×
от 5 шт. — 353 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
1 850 ֏
×
|
|||
быстрый просмотр |
3 160 ֏
×
от 5 шт. — 3 080 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
760 ֏
×
|
|||
быстрый просмотр |
4 920 ֏
×
|
|||
быстрый просмотр |
560 ֏
×
от 5 шт. — 480 ֏
|
|||
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
3 100 ֏
×
1 940 ֏ от 5 шт. — 1 860 ֏
|
||
быстрый просмотр |
162 ֏
×
от 5 шт. — 160 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
54 ֏
×
от 5 шт. — 53 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
2 830 ֏
×
от 5 шт. — 2 660 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
1 020 ֏
×
от 5 шт. — 980 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
540 ֏
×
от 5 шт. — 395 ֏
|
|||
10 дней, 1 шт.
Бренд: Toshiba
|
быстрый просмотр | 10 дней, 1 шт. |
2 730 ֏
×
|
|
быстрый просмотр |
3 270 ֏
×
от 5 шт. — 3 130 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
1 110 ֏
×
от 5 шт. — 1 070 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
570 ֏
×
от 5 шт. — 560 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
463 ֏
×
|
|||
быстрый просмотр |
1 350 ֏
×
от 5 шт. — 1 140 ֏
|
|||
быстрый просмотр |
3 830 ֏
×
от 10 шт. — 3 450 ֏
от 30 шт. — 3 250 ֏
|