Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
|
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 0.3
Частота единичного усиления, МГц: 0.6
Токовое смещение на входе, нА: 1.2
Напряжение смещения на входе, мкВ: 20
Ток собственного потребления, мА: 1.6
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
1 340 ֏
×
860 ֏ от 10 шт. — 800 ֏
|
||
|
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 9
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.003
Напряжение смещения на входе, мкВ: 200
Ток собственного потребления, мА: 0.21
Выходной ток на канал, мА: 12
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +9…36, ±4.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+90
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2 670 ֏
×
1 870 ֏ от 5 шт. — 1 750 ֏
|
||
|
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 1
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 0.2
Частота единичного усиления, МГц: 0.7
Токовое смещение на входе, нА: 5
Напряжение смещения на входе, мкВ: 30
Ток собственного потребления, мА: 0.3
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +2.7…30, ±1.35…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
4 250 ֏
×
2 750 ֏ от 5 шт. — 2 720 ֏
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С нулевым дрейфом
Кол-во каналов: 1
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 20
Частота единичного усиления, МГц: 14
Токовое смещение на входе, нА: 0.07
Напряжение смещения на входе, мкВ: 0.4
Ток собственного потребления, мА: 1.3
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +4.5…36, ±2.25…18
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
3 400 ֏
×
2 090 ֏ от 5 шт. — 2 060 ֏
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С обратной связью по напряжению
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 295
Частота единичного усиления, МГц: 230
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 500
Токовое смещение на входе, нА: 0.002
Напряжение смещения на входе, мкВ: 250
Ток собственного потребления, мА: 14
Выходной ток на канал, мА: 70
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +8…12, ±4…6
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
9 000 ֏
×
6 600 ֏ от 5 шт. — 6 500 ֏
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 1.7
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 150
Напряжение смещения на входе, мкВ: 500
Ток собственного потребления, мА: 2.5
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +10…30, ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
 быстрый просмотр |
346 ֏
×
167 ֏ от 15 шт. — 148 ֏
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
730 ֏
×
387 ֏ от 15 шт. — 373 ֏
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
730 ֏
×
379 ֏ от 15 шт. — 352 ֏
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
437 ֏
×
225 ֏ от 15 шт. — 197 ֏
|
||
|
2183 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2183 шт. |
285 ֏
×
157 ֏ от 15 шт. — 141 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 040 ֏
×
431 ֏ от 15 шт. — 365 ֏
|
||
|
795 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
795 шт. |
285 ֏
×
150 ֏ от 15 шт. — 130 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
 быстрый просмотр |
590 ֏
×
335 ֏ от 15 шт. — 321 ֏
|
||
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
455 ֏
×
276 ֏ от 15 шт. — 261 ֏
|
||
|
411 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
411 шт. |
352 ֏
×
176 ֏ от 15 шт. — 157 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
730 ֏
×
406 ֏ от 15 шт. — 387 ֏
|
||
|
862 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
862 шт. |
194 ֏
×
153 ֏ от 15 шт. — 141 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
730 ֏
×
369 ֏ от 15 шт. — 351 ֏
|
||
|
1307 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 1.3
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 15
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 2
Выходной ток на канал, мА: 80
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +2.7…12
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
1307 шт. |
1 400 ֏
×
880 ֏ от 5 шт. — 840 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 0.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 80
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1000
Ток собственного потребления, мА: 1.7
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
425 ֏
×
241 ֏ от 15 шт. — 221 ֏
|