Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT

IGBT модули

_{138 из 151}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 72 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: ECONOPACK 2K	быстрый просмотр		173 000 ֏ 118 000 ֏ × от 3 шт. — 117 000 ֏
BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: HALF-BRIDGE 1	быстрый просмотр		123 000 ֏ 82 400 ֏ × от 3 шт. — 81 900 ֏
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-34MM	быстрый просмотр		71 000 ֏ 46 800 ֏ × от 3 шт. — 46 300 ֏
FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-34MM	быстрый просмотр		114 000 ֏ 70 400 ֏ × от 3 шт. — 67 100 ֏
FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 440 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-62MM	быстрый просмотр		102 000 ֏ 69 600 ֏ × от 3 шт. — 69 000 ֏
FP25R12KT3BOSA1, Модуль IGBT 1200В 25А Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-ECONO2C	быстрый просмотр		108 000 ֏ 73 100 ֏ × от 3 шт. — 72 600 ֏
FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 39 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-EASY2B	быстрый просмотр		72 400 ֏ 47 800 ֏ × от 3 шт. — 47 300 ֏
FP75R12KE3BOSA1, Модуль IGBT 1200V 105A 355Вт Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-ECONO3	быстрый просмотр		213 000 ֏ 146 000 ֏ × от 3 шт. — 145 000 ֏
FS75R12KE3BOSA1, Модуль IGBT 1200V 105A 350Вт Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: AG-ECONO2B	быстрый просмотр		133 000 ֏ 89 400 ֏ × от 3 шт. — 88 400 ֏
SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2] 3 недели, 27 шт. Бренд: Semikron Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: MiniSKiiP 2	быстрый просмотр	3 недели, 27 шт.	94 800 ֏ 63 100 ֏ × от 5 шт. — 62 000 ֏
SKIIP35NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 3] 3 недели, 20 шт. Бренд: Semikron Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: MiniSKiiP 3	быстрый просмотр	3 недели, 20 шт.	150 000 ֏ 95 400 ֏ × от 5 шт. — 93 000 ֏
SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93] 3 недели, 41 шт. Бренд: Semikron Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: D-93	быстрый просмотр	3 недели, 41 шт.	126 000 ֏ 83 800 ֏ × от 5 шт. — 81 800 ֏
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2] 3 недели, 105 шт. Бренд: Semikron Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+170 Корпус: SEMITRANS 2	быстрый просмотр	3 недели, 105 шт.	42 600 ֏ × от 5 шт. — 41 500 ֏
FP06R12W1T4B3, Модуль: IGBT, диод/транзистор, 3-фазный диодный мост, Ic: 6А, 94Вт Бренд: Infineon	быстрый просмотр		27 800 ֏ × от 5 шт. — 26 100 ֏
IGCM10F60GAXKMA1, 3х фазный IGBT модуль, 600В, 10А [DIP 36x21] Бренд: Infineon	быстрый просмотр		4 190 ֏ × от 3 шт. — 3 870 ֏
PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series) Бренд: Mitsubishi	быстрый просмотр		40 500 ֏ × от 5 шт. — 38 100 ֏
PS21254-EP, IPS 600Вх1Ф 0.75кВт 15кГц Бренд: Mitsubishi	быстрый просмотр		23 300 ֏ × от 5 шт. — 21 900 ֏
standard lid for MiniSKiiP II housing size 3, Крышка для SKIIP35NAB126V1 3 недели, 26 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	3 недели, 26 шт.	550 ֏ 379 ֏ ×
SKiiP11NAB126V1 3 недели, 13 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	3 недели, 13 шт.	33 000 ֏ × от 4 шт. — 30 200 ֏ от 10 шт. — 27 100 ֏
SKM50GB12T4 3 недели, 5 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	3 недели, 5 шт.	29 100 ֏ × от 5 шт. — 25 800 ֏

IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике.

IGBT-модули работают с напряжением в диапазоне от 600 до 6500 В и токами от 50 до 3500 А.

Модули IGBT могут иметь разное исполнения, начиная от одиночных силовых ключей и чопперов, заканчивая полными трёхфазными мостами и однофазными трёхуровневыми схемами.

Кристаллы IGBT-модулей изготавливаются с использованием самых передовых полупроводниковых технологий, которые позволяют получать высокую температуру перехода, низкое падение напряжений и низкую коммутационную потерю, благодаря чему повышается надёжность данных модулей.

Получить заказ вы можете в нашем офисе и пункте выдаче в Ереване.
Доставка товаров осуществляется по всей Армении курьером и HayPost. Закажите доставку в Ереван, Гюмри, Ванадзор и еще в более, чем 40 городов и населенных пунктов Армении.

Товары из группы «IGBT модули» вы можете купить оптом и в розницу.

IGBT модули

ООО «ЧИП и ДИП»