Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		4 910 ֏ 3 260 ֏ × от 15 шт. — 3 230 ֏
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		4 790 ֏ 3 140 ֏ × от 15 шт. — 3 120 ֏
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		6 000 ֏ 3 850 ֏ × от 15 шт. — 3 820 ֏
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		7 800 ֏ 5 200 ֏ ×
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] 4569 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6.5 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	4569 шт.	1 400 ֏ 940 ֏ ×
IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314) Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		5 400 ֏ 3 800 ֏ × от 15 шт. — 3 790 ֏
IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TrenchStop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1350 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 288 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 235 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		3 400 ֏ 2 230 ֏ × от 15 шт. — 2 180 ֏
NGD8201ANT4G, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [D-PAK] 21 шт. Бренд: Littelfuse Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 440 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 5000 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: DPAK/TO-252AA	быстрый просмотр	21 шт.	1 580 ֏ 1 000 ֏ × от 50 шт. — 930 ֏
RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A] 268 шт. Бренд: Renesas Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260.4 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 53 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247A	быстрый просмотр	268 шт.	4 000 ֏ 2 450 ֏ × от 5 шт. — 2 320 ֏
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		8 100 ֏ 5 500 ֏ ×
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220] 386 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	386 шт.	1 400 ֏ 1 160 ֏ × от 15 шт. — 1 100 ֏
STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247] 199 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	199 шт.	3 340 ֏ 2 110 ֏ × от 15 шт. — 2 090 ֏
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		2 910 ֏ 1 880 ֏ × от 50 шт. — 1 730 ֏
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		11 400 ֏ ×
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		4 670 ֏ 2 700 ֏ × от 15 шт. — 2 560 ֏
CRG05T60A44S-G, Транзистор IGBT 650В 5А 55Вт Trench FS III [DPAK / TO-252] 8 дней, 137 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 10 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 15 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 55 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.48 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 65.59 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: dpak	быстрый просмотр	8 дней, 137 шт.	350 ֏ × от 15 шт. — 319 ֏
CRG15T120BK3SD, Транзистор IGBT 1200В 15А 236Вт Trench FS III [TO-247] 8 дней, 575 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 236 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 35 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	8 дней, 575 шт.	850 ֏ × от 15 шт. — 780 ֏
CRG15T120BNR3S, Транзистор IGBT 1200В 15А 156Вт Trench FS-RC III [TO-3P(N)] 8 дней, 81 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS-RC III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 156 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 107 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	8 дней, 81 шт.	580 ֏ × от 15 шт. — 530 ֏
CRG15T60A83L, Транзистор IGBT 600В 15А 96Вт Trench FS III [TO-220] 8 дней, 112 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 96 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 45 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	8 дней, 112 шт.	471 ֏ × от 15 шт. — 429 ֏
CRG15T60A93L, Транзистор IGBT 600В 15А 26Вт Trench FS III [TO-220F] 8 дней, 122 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 26 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 45 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	8 дней, 122 шт.	336 ֏ × от 15 шт. — 307 ֏

IGBT-транзисторы (биполярные транзисторы с изолированным затвором) – трёхэлектродные силовые электронные приборы, которые используются в качестве мощного электронного ключа в инверторах, импульсных источниках питания и системах управления электроприводами.

Внутренняя структура IGBT-транзисторов имеет вид каскадного включения двух электронных ключей: входные ключи, основанные на полевых транзисторах, управляют мощными ключами, основанными на биполярных транзисторах. Управляющим электродом является затвор (как у полевых), а двумя другими электродами – эмиттер и коллектор (как у биполярных).

Получить заказ вы можете в нашем офисе и пункте выдаче в Ереване.
Доставка товаров осуществляется по всей Армении курьером и HayPost. Закажите доставку в Ереван, Гюмри, Ванадзор и еще в более, чем 40 городов и населенных пунктов Армении.

Товары из группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)» вы можете купить оптом и в розницу.

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

ООО «ЧИП и ДИП»