BPW85C, Фототранзистор 620..980 нм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
610 ֏
389 ֏
от 200 шт. —
232 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 389 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Фототранзистор 3мм/450-1080нм/прозрачный/25°
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 70 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 70 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
| Dark Current | 200 nA |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Half Intensity Angle Degrees | 25 deg |
| Height | 4.5 mm |
| Length | 3.4 mm |
| Lens Color/Style | Clear |
| Light Current | 8 mA |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum On-State Collector Current | 50 mA |
| Maximum Operating Temperature | +100 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | T-1 |
| Packaging | Bulk |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Peak Wavelength | 850 nm |
| Product | Phototransistors |
| Product Category | Phototransistors |
| RoHS | Details |
| Type | Chip |
| Wavelength | 850 nm |
| Width | 3.4 mm |
| Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
BPW85
pdf, 109 КБ
bpw85
pdf, 121 КБ
Документация
pdf, 98 КБ
Импортные оптоэлектронные приборы
pdf, 355 КБ
С этим товаром покупают
