BPW96C, Фототранзистор 620..980 нм

Фото 1/5 BPW96C, Фототранзистор 620..980 нм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 220 ֏
860 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 860 ֏
Номенклатурный номер: 909728551

Описание

Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk

Технические параметры

Automotive No
Diameter 5.75
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Fabrication Technology NPN Transistor
Half Intensity Angle Degrees (°) 40
Lead Shape Through Hole
Lens Color Clear
Lens Shape Type Domed
Material Silicon
Maximum Collector Current (mA) 50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 70
Maximum Dark Current (nA) 200
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) 5
Maximum Light Current (uA) 15000
Maximum Operating Temperature (°C) 100
Maximum Power Dissipation (mW) 150
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Through Hole
Number of Channels per Chip 1
Packaging Bulk
Part Status Active
PCB changed 2
Peak Wavelength (nm) 850
Phototransistor Type Phototransistor
Pin Count 2
Polarity NPN
PPAP No
Standard Package Name T-1 3/4
Supplier Package T-1 3/4
Type IR Chip
Viewing Orientation Top View
Вес, г 0.35

Техническая документация

Datasheet
pdf, 109 КБ
Datasheet
pdf, 104 КБ
Datasheet
pdf, 104 КБ
Документация
pdf, 108 КБ

Видео