C4D02120E, SiC диод Шоттки 2А 1200В [TO-252-2]
![Фото 1/5 C4D02120E, SiC диод Шоттки 2А 1200В [TO-252-2]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 670 ֏
от 10 шт. —
1 480 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 670 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
A range of Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) Schottky diodes offering significant improvements over standard Schottky barrier diodes.
Технические параметры
| Серия | Z-Rec | |
| Тип устройства | Диод Шоттки | |
| Материал полупроводника | Карбид кремния | |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 | |
| Конфигурация диода | Одиночный | |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 | |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 | |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.8 | |
| Обратный ток утечки, мкА | 50 | |
| Емкость, пФ | 167 | |
| Рабочая температура, °C | -55…+175 | |
| Корпус | DPAK/SC-63/TO-252AA(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 0.55 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 695 КБ
Datasheet C4D02120E
pdf, 539 КБ
Datasheet C4D02120E
pdf, 801 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
