FDD8896, Транзистор N-MOSFET 30В 94A 80Вт [TO-252-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2303 шт. с центрального склада, срок 13 дней
135 ֏
от 100 шт. —
123 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 135 ֏
Посмотреть аналоги5
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 94 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.047 Ом/35А/10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 | |
Корпус | TO-252/DPAK | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet FDD8896
pdf, 551 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 1 мая1 | бесплатно |
HayPost | 5 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг