FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
![FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 910 ֏
1 880 ֏
от 50 шт. —
1 730 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 880 ֏
Технические параметры
| Технология/семейство | NPT Trench | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 90 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.65 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 312 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 190 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | TO-3P | |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
FGA25N120ANTDTU
pdf, 310 КБ
FGA25N120ANTDTU-D
pdf, 1423 КБ
С этим товаром покупают
