IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]
![Фото 1/4 IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304667.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 760 ֏
2 420 ֏
от 5 шт. —
2 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 420 ֏
Описание
Описание IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Характеристики
| Категория | Микросхема |
| Тип | драйвер |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Конфигурация | Half-Bridge | |
| Тип канала | независимый | |
| Кол-во каналов | 2 | |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET | |
| Напряжение питания, В | 10…20 | |
| Логическое напряжение (VIL), В | 6 | |
| Логическое напряжение (VIH), В | 9.5 | |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 3 | |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 3 | |
| Тип входа | неинвертирующий | |
| Максимальное напряжение смещения, В | 200 | |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 10 | |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 15 | |
| Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
| Корпус | DIP-14(0.300 inch) | |
| Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet IR2010SPBF
pdf, 332 КБ
Datasheet IR2010STRPBF
pdf, 2359 КБ
Using IR monolithic high voltage gate drivers
pdf, 356 КБ
Datasheet IR2010
pdf, 227 КБ
С этим товаром покупают
