Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs) › ON Semiconductor › J113, Транзистор N-канал 30В 50мА 350мВт [TO-92]

J113, Транзистор N-канал 30В 50мА 350мВт [TO-92]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

194 ֏

125 ֏

от 100 шт. — 111 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 125 ֏

Номенклатурный номер: 9000167103

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Технические параметры

Структура	N-канал
Напряжение пробоя (V(br)gss), В	35
Ток утечки (Idss), мА	2(min)
при Vds, В (Vgs=0)	15
Напряжение отсечки (Vgs off), В	0.5…3
при Id, нА	1000
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом	100(max)
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	0.625
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	TO-92
Вес, г	0.3