MMBF4393LT1G, Транзистор JFET N-канал 30В 0.225Вт [SOT-23-3]
![Фото 1/4 MMBF4393LT1G, Транзистор JFET N-канал 30В 0.225Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 ֏
160 ֏
от 100 шт. —
138 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 ֏
Описание
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Gate On-Capacitance | 14pF |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 5 to 30mA |
| Maximum Drain Gate Voltage | 30V |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Source Gate On-Capacitance | 14pF |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.05 |
