MMBFJ112, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]

Фото 1/5 MMBFJ112, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
97 ֏
от 100 шт.93 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 97 ֏
Номенклатурный номер: 9000616809

Описание

JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-5V; Transistor Case Style:SOT-23; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3 Pin; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins:3Pins; Power Dissipation Pd:350mW

Технические параметры

Brand ON Semiconductor/Fairchild
Configuration Single
Drain-Source Current at Vgs=0 4 mA to 20 mA
Factory Pack Quantity 3000
Gate-Source Cutoff Voltage -5 V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Style SMD/SMT
Operating Temperature Range -55 C to+150 C
Package / Case SOT-23
Packaging Reel
Part # Aliases MMBFJ112_NL
Pd - Power Dissipation 350 mW
Product Category JFET
Rds On - Drain-Source Resistance 50 Ohms
RoHS Details
Series MMBFJ112
Transistor Polarity N-Channel
Unit Weight 0.001058 oz
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage -35 V
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 444 КБ
Datasheet
pdf, 324 КБ
MMBFJ112
pdf, 418 КБ
Документация
pdf, 451 КБ