MMBFJ112, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 ֏
от 100 шт. —
93 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 97 ֏
Описание
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-5V; Transistor Case Style:SOT-23; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3 Pin; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins:3Pins; Power Dissipation Pd:350mW
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Configuration | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0 | 4 mA to 20 mA |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gate-Source Cutoff Voltage | -5 V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Style | SMD/SMT |
Operating Temperature Range | -55 C to+150 C |
Package / Case | SOT-23 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | MMBFJ112_NL |
Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Product Category | JFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 50 Ohms |
RoHS | Details |
Series | MMBFJ112 |
Transistor Polarity | N-Channel |
Unit Weight | 0.001058 oz |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -35 V |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 444 КБ
Datasheet
pdf, 324 КБ
MMBFJ112
pdf, 418 КБ
Документация
pdf, 451 КБ
J111, J112, J113, MMBFJ111, MMBFJ112, MMBFJ113
pdf, 445 КБ
С этим товаром покупают