MMBFJ113, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]
![Фото 1/6 MMBFJ113, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
184 ֏
от 100 шт. —
169 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 184 ֏
Описание
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Configuration | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0 | 10 mA to 40 mA |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage | -3 V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Temperature Range | -55 C to+150 C |
| Package / Case | SOT-23 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | MMBFJ113_NL |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Product Category | JFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 Ohms |
| RoHS | Details |
| Series | MMBFJ113 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -35 V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 444 КБ
Datasheet
pdf, 324 КБ
Datasheet MMBFJ113
pdf, 322 КБ
Документация
pdf, 451 КБ
