PT19-21BL41TR8, Фототранзистор

PT19-21BL41TR8, Фототранзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 шт. с центрального склада, срок 3 недели
227 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 227 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8010580122

Описание

Phototransistors 940nm Top View 0603 (1608 Metric)

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 20mA
Current - Dark (Id) (Max) 100nA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.40.7080
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -25В°C ~ 85В°C (TA)
Orientation Top View
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 0603 (1608 Metric)
Power - Max 75mW
RoHS Status ROHS3 Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Wavelength 940nm
Collector-Emitter Breakdown Voltage 30V
Current - Collector (Max) 20mA
Dark Current 100nA
Maximum Operating Temperature 85в„ѓ (TA)
Minimum Operating Temperature -25в„ѓ
Spectral Range 730nm~1100nm
Automotive No
Fabrication Technology NPN Transistor
Lens Color Black
Maximum Collector Current - (mA) 20
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) 0.4
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) 30
Maximum Dark Current - (nA) 100
Maximum Emitter-Collector Voltage - (V) 5
Maximum Fall Time - (ns) 15000(Typ)
Maximum Power Dissipation - (mW) 75
Maximum Rise Time - (ns) 15000(Typ)
Military No
Number of Channels per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -25~85
Peak Wavelength - (nm) 940
Pin Count 2
Polarity NPN
Standard Package Name SMD
Supplier Package SMD
Viewing Orientation Side View
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 487 КБ
Документация
pdf, 538 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 мая1 бесплатно
HayPost 15 мая1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг