1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4754 шт. с центрального склада, срок 9 дней
43 ֏
от 50 шт. —
37 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.5 Ом/0.5А, 10В | |
| Крутизна характеристики, S | 0.5 | |
| Корпус | SOT-223 | |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet UMW 1N60
pdf, 1531 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 3 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 7 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
