1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2203 шт. с центрального склада, срок 12 дней
53 ֏
от 50 шт. —
46 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 53 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.5 Ом/0.5А, 10В | |
Крутизна характеристики, S | 0.5 | |
Корпус | TO-252/DPAK | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet UMW 1N65
pdf, 711 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 10 апреля1 | бесплатно |
HayPost | 15 апреля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг