2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4160 шт. с центрального склада, срок 3 недели
64 ֏
от 50 шт. —
57 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 64 ֏
Описание
SOT-223 N-Channel MOSFETs ROHS VDS(V)=650V аналог:UMW2N60G
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2 Ом/1А, 10В | |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 | |
| Корпус | SOT-223 | |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet UMW 2N60
pdf, 2632 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 15 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
