IRFD110PBF, MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI

Фото 1/5 IRFD110PBF, MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 720 ֏
от 10 шт.1 340 ֏
от 100 шт.990 ֏
от 500 шт.780 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 720 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005547155

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 100V N-CH HEXFET HEXDI

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 1 A
Pd - рассеивание мощности 1.3 W
Qg - заряд затвора 8.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 540 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 16 ns
Время спада 9.4 ns
Высота 3.37 mm
Длина 6.29 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 0.8 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия IRFD
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 15 ns
Типичное время задержки при включении 6.9 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок HVMDIP-4
Ширина 5 mm
Максимальный непрерывный ток стока 1 А
Тип корпуса HVMDIP
Максимальное рассеяние мощности 1,3 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Размеры 5 x 6.29 x 3.37мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 6.9 ns
Производитель Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 540 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 4
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 8.3 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 180 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
RoHS Подробности
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 20 V
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Dual Drain
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 1
Maximum Diode Forward Voltage (V) 2.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 540@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4
Maximum IDSS (uA) 25
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) 20
Maximum Power Dissipation (mW) 1300
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) 8
Minimum Gate Threshold Voltage (V) 2
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 175
Part Status Active
PCB changed 4
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name DIP
Supplier Package HVMDIP
Typical Fall Time (ns) 9.4
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 8.3(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 8.3(Max)@10V
Typical Gate Plateau Voltage (V) 7
Typical Gate to Drain Charge (nC) 3.8(Max)
Typical Gate to Source Charge (nC) 2.3(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 180@25V
Typical Output Capacitance (pF) 81
Typical Reverse Recovery Charge (nC) 440
Typical Reverse Recovery Time (ns) 100
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 15@25V
Typical Rise Time (ns) 16
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 15
Typical Turn-On Delay Time (ns) 6.9
Вес, г 0.3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 156 КБ
Datasheet IRFD110PBF
pdf, 150 КБ
IRFD110 Datasheet
pdf, 174 КБ
Документация
pdf, 148 КБ