IRFD110PBF, MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 720 ֏
от 10 шт. —
1 340 ֏
от 100 шт. —
990 ֏
от 500 шт. —
780 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 720 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 100V N-CH HEXFET HEXDI
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
Qg - заряд затвора | 8.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 540 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 9.4 ns |
Высота | 3.37 mm |
Длина | 6.29 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.8 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | IRFD |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 15 ns |
Типичное время задержки при включении | 6.9 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | HVMDIP-4 |
Ширина | 5 mm |
Максимальный непрерывный ток стока | 1 А |
Тип корпуса | HVMDIP |
Максимальное рассеяние мощности | 1,3 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Размеры | 5 x 6.29 x 3.37мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 6.9 ns |
Производитель | Vishay |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 540 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Число контактов | 4 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 180 pF @ 25 V |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
RoHS | Подробности |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Dual Drain |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 1 |
Maximum Diode Forward Voltage (V) | 2.5 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 540@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum IDSS (uA) | 25 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1300 |
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 8 |
Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
Part Status | Active |
PCB changed | 4 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | DIP |
Supplier Package | HVMDIP |
Typical Fall Time (ns) | 9.4 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.3(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.3(Max)@10V |
Typical Gate Plateau Voltage (V) | 7 |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 3.8(Max) |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 2.3(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 180@25V |
Typical Output Capacitance (pF) | 81 |
Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 440 |
Typical Reverse Recovery Time (ns) | 100 |
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 15@25V |
Typical Rise Time (ns) | 16 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.9 |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 156 КБ
Datasheet IRFD110PBF
pdf, 150 КБ
IRFD110 Datasheet
pdf, 174 КБ
Документация
pdf, 148 КБ
Datasheet IRFD110, SiHFD110
pdf, 150 КБ