2SA2039-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 140 ֏
от 10 шт. —
720 ֏
от 100 шт. —
620 ֏
от 700 шт. —
442 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 140 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50V
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V, 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 255 mV, 160 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A, 5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz, 400 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 700 |
| Серия | 2SA2039 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PCB changed | 2 |
| Package Height | 2.3 |
| Mounting | Surface Mount |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Tab | Tab |
| Package Width | 5.5 |
| Package Length | 6.5 |
| Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Base Current (A) | 1.2 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@100mA@2A |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.43@100mA@2A|0.195@50mA@1A |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 1000 |
| Minimum DC Current Gain | 200@500mA@2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 360(Typ) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Supplier Package | DPAK |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Military | No |
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | -50 V, 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -50 V, 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -255 mV, 160 mV |
| Continuous Collector Current | -5 A, 5 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
| DC Current Gain hFE Max | 560 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V, 6 V |
| Factory Pack Quantity | 700 |
| Gain Bandwidth Product fT | 360 MHz, 400 MHz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252 |
| Pd - Power Dissipation | 15 W |
| RoHS | Details |
| Series | 2SA2039 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.063493 oz |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | -5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Frequency | 360 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | TP-FA |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 433 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
EN6912-D-1803990
pdf, 426 КБ
Datasheet 2SA2039, 2SC5706
pdf, 418 КБ
