IPD70R1K4P7SAUMA1, MOSFET CONSUMER
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 ֏
от 10 шт. —
640 ֏
от 100 шт. —
417 ֏
от 500 шт. —
334 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 760 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
Pd - рассеивание мощности | 22.7 W |
Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 4.9 ns |
Время спада | 61 ns |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Другие названия товара № | IPD70R1K4P7S SP001491632 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | CoolMOS |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CoolMOS P7 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 63 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 1 N-Channel |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 61 ns |
Height | 2.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 4 A |
Length | 6.5 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 22.7 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 4.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.15 Ohms |
Rise Time | 4.9 ns |
RoHS | Details |
Series | CoolMOS P7 |
Technology | Si |
Tradename | CoolMOS |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 63 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 700 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Width | 6.22 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.4 O |
Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-252 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1003 КБ