Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › PBSS5540Z,115, Bipolar Transistors - BJT ...

PBSS5540Z,115, Bipolar Transistors - BJT PBSS5540Z/SOT223/SC-73

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

109540 шт., срок 8-10 недель

463 ֏

от 10 шт. — 408 ֏

от 100 шт. — 223 ֏

от 1000 шт. — 158 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 463 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8006208048

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP 40V 5A LO VCESAT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	2000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	934055496115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 150 at 2 A,
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250 at 500 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	120 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-3
Ширина	3.7 mm
Base Product Number	PBSS5540 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	150 @ 2A, 2V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	120MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	2W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	160mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	40V
Maximum DC Collector Current	5A
Pd - Power Dissipation	2W
кол-во в упаковке	1000
Maximum Collector Base Voltage	40 V
Maximum Collector Emitter Voltage	40 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	120 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2 W
Minimum DC Current Gain	250
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223(SC-73)
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Collector Current (Ic)	5A
Collector Cut-Off Current (Icbo)	100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	110mV@2A, 200mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	150@2A, 2V
Power Dissipation (Pd)	2W
Transition Frequency (fT)	120MHz
Вес, г	1