Диоды защиты от электростатики (ESD) HXY MOSFET

Серия

Тип устройства

Применение

Однонаправленные каналы

Двунаправленные каналы

Емкость, пФ

Напряжение пробоя, В

Максимальное импульсное напряжение ограничения, В

Максимальное постоянное обратное напряжение, В

Максимальный пиковый импульсный ток, А

Корпус

Товары в наличии

Цена, ֏