Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С программируемым коэффициентом усиления
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 9
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 1.5
Токовое смещение на входе, нА: 50
Напряжение смещения на входе, мкВ: 200
Ток собственного потребления, мА: 2.6
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +9…36, ±4.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
9 000 ֏
×
6 200 ֏ |
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 1.7
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 150
Напряжение смещения на входе, мкВ: 500
Ток собственного потребления, мА: 2.5
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +10…30, ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: TSSOP-8(0.173 inch)
|
 быстрый просмотр |
146 ֏
×
75 ֏ |
от 15 шт. — 66 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 1.5
Частота единичного усиления, МГц: 0.15
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1000
Ток собственного потребления, мА: 3
Выходной ток на канал, мА: 10
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-16(0.300 inch)
|
 быстрый просмотр |
15 000 ֏
×
10 100 ֏ |
от 5 шт. — 9 900 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
431 ֏
×
269 ֏ |
от 15 шт. — 251 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
 быстрый просмотр |
394 ֏
×
270 ֏ |
от 10 шт. — 248 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
291 ֏
×
166 ֏ |
от 15 шт. — 146 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
 быстрый просмотр |
431 ֏
×
252 ֏ |
от 15 шт. — 231 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
261 ֏
×
172 ֏ |
от 15 шт. — 151 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
340 ֏
×
179 ֏ |
от 15 шт. — 156 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
510 ֏
×
304 ֏ |
от 15 шт. — 278 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 100 ֏
×
680 ֏ |
от 15 шт. — 610 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 040 ֏
×
497 ֏ |
от 15 шт. — 450 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 400 ֏
×
900 ֏ |
от 15 шт. — 880 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 2000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 160 ֏
×
720 ֏ |
от 15 шт. — 700 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
340 ֏
×
187 ֏ |
от 15 шт. — 167 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
425 ֏
×
204 ֏ |
от 15 шт. — 189 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
850 ֏
×
425 ֏ |
от 20 шт. — 376 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
431 ֏
×
257 ֏ |
от 15 шт. — 241 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: LinCMOS
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 4
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.6
Частота единичного усиления, МГц: 2.25
Токовое смещение на входе, нА: 0.001
Напряжение смещения на входе, мкВ: 300
Ток собственного потребления, мА: 4.8
Выходной ток на канал, мА: 50
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +4.4…16, ±2.2…8
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
3 400 ֏
×
2 200 ֏ |
от 5 шт. — 2 170 ֏
|
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: LinCMOS
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 5.3
Частота единичного усиления, МГц: 2.2
Токовое смещение на входе, нА: 0.0007
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1100
Ток собственного потребления, мА: 1.9
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +3…16, ±1.5…8
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 400 ֏
×
740 ֏ |
от 5 шт. — 710 ֏
|