Новинки от UTD Semiconductor – полевые транзисторы серии IRF7…
UTD Semiconductor Co.,Ltd – крупная китайская компания, основанная в 2009 году, как совместное китайско-тайваньское предприятие, выпускающая продукцию под торговыми марками UMW и Youtai. В основном компания занимается производством аналогов микросхем управления питанием, логических микросхем, MOSFET транзисторов, ESD защитных устройств, драйверов двигателей, выпрямительных мостов и других популярных электронных компонентов Европейских и Американских производителей.
Команда инженеров UTD Semiconductor состоит из опытных профессиональных экспертов в этой области, с несколькими ведущими международными производственными линиями и полной системой проектирования ИС. Продукция компании прошла сертификацию системы управления качеством ISO9001:2015 и сертифицирована UL, CQC, SGS.
В ассортимент поступили аналоги полевых транзисторов Infineon в корпусе SOIC-8 имеющие схожие или улучшенные параметры:
| Название | Структура |
Напряжение сток-исток, В (max.) |
Напряжение затвор-исток, В |
Ток сток-исток, А (max.) |
Сопротивление канала в открытом состоянии (max.) |
Рассеиваемая мощность, Вт |
Крутизна характеристики, S |
Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7105TR | N/P-каналы | 25 | ± 20 | 3.5/2.3 | 0.1/0.25 Ом/1А, 10В | 2 | 4.3/3.1 | SOIC-8 |
| IRF7240TR | P-канал | 40 | ± 20 | 10.5 | 0.016 Ом/10.5А, 10В | 2.5 | 17 | SOIC-8 |
| IRF7301TR | 2N-канала | 20 | ± 12 | 5.2 | 0.04 Ом/2.6А, 4.5В | 2 | 8.3 | SOIC-8 |
| IRF7303TR | 2N-канала | 30 | ± 20 | 5.3 | 0.05 Ом/2.4А, 10В | 2 | 5.2 | SOIC-8 |
| IRF7304TR | 2P-канала | 20 | ± 12 | 4.7 | 0.09 Ом/2.2А, 4.5В | 2 | 4 | SOIC-8 |
| IRF7307TR | N/P-каналы | 20 | ± 12 | 5.7/4.7 | 0.053/0.1 Ом/2.6А, 4.5В | 2 | 8.3/4 | SOIC-8 |
| IRF7309TR | N/P-канал | 30 | ± 20 | 4.7/3.5 | 0.05/0.1 Ом/2.4А, 10В | 1.4 | 5.2/2.5 | SOIC-8 |
| IRF7313TR | 2N-канала | 30 | ± 20 | 6.5 | 0.029 Ом/5.8А, 10В | 2 | 14 | SOIC-8 |
| IRF7316TR | 2P-канала | 30 | ± 20 | 4.9 | 0.06 Ом/4.9А, 10В | 2 | 7.7 | SOIC-8 |
| IRF7319TR | N/P-каналы | 30 | ± 20 | 6.5/4.9 | 0.031/0.06 Ом/5.8А, 10В | 2 | 14/7.7 | SOIC-8 |
| IRF7328TR | 2P-канала | 30 | ± 20 | 8 | 0.021 Ом/8А, 10В | 2 | 12 | SOIC-8 |
| IRF7341TR | 2N-канала | 55 | ± 20 | 4.7 | 0.03 Ом/4.7А, 10В | 2 | 7.9 | SOIC-8 |
| IRF7342TR | 2P-канала | 55 | ± 20 | 3.4 | 0.105 Ом/3.4А, 10В | 2 | 3.3 | SOIC-8 |
| IRF7343TR | N/P-каналы | 55 | ± 20 | 4.7/3.4 | 0.065/0.09 Ом/4.7А, 10В | 2 | 7.9/3.3 | SOIC-8 |
| IRF7351TR | 2N-канала | 60 | ± 20 | 8 | 0.023 Ом/8А, 10В | 2 | 18 | SOIC-8 |
| IRF7389TR | N/P-каналы | 30 | ± 20 | 7.3/5.3 | 0.029/0.058 Ом/5.8А, 10В | 2.5 | 14/7.7 | SOIC-8 |
| IRF7401TR | N-канал | 20 | ± 12 | 8.7 | 0.022 Ом/4.1А, 4.5В | 2.5 | 11 | SOIC-8 |
| IRF7403TR | N-канал | 30 | ± 20 | 8.5 | 0.022 Ом/4А, 10В | 2.5 | 8.4 | SOIC-8 |
| IRF7404TR | P-канал | 20 | ± 12 | 6.7 | 0.04 Ом/3.2А, 4.5В | 2.5 | 6.8 | SOIC-8 |
| IRF7406TR | P-канал | 30 | ± 20 | 5.8 | 45 Ом/2.8A, 10В | 2.5 | 3.1 | SOP-8 |
| IRF7413TR | N-канал | 30 | ± 20 | 13 | 0.012 Ом/7.3А, 10В | 2.5 | 10 | SOIC-8 |
| IRF7416TR | P-канал | 30 | ± 20 | 10 | 0.02 Ом/5.6A, 10В | 2.5 | 5.6 | SOP-8 |
| IRF7424TR | P-канал | 30 | ± 20 | 11 | 0.00135 Ом/11A, 10В | 2.5 | 17 | SOP-8 |
| IRF7455TR | N-канал | 30 | ± 12 | 15 | 0.0075 Ом/15А, 10В | 2.5 | 44 | SOIC-8 |
| IRF7469TR | N-канал | 40 | ± 20 | 9 | 0.017 Ом/9А, 10В | 2.5 | 17 | SOIC-8 |
| IRF7470TR | N-канал | 40 | ± 12 | 10 | 0.013 Ом/10А, 10В | 2.5 | 27 | SOIC-8 |
| IRF7476TR | N-канал | 12 | ± 12 | 15 | 0.008 Ом/15А, 4.5В | 2.5 | 31 | SOIC-8 |
| IRF7807TR | n-канал | 30 | ± 20 | 11 | 0.0138 Ом/11А, 10В | 2.5 | 22 | SOIC-8 |