D45H11G, Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 140 ֏
от 10 шт. —
890 ֏
от 100 шт. —
630 ֏
от 500 шт. —
471 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 140 ֏
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Maximum DC Collector Current | -10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 40 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet D45H8G
pdf, 87 КБ