Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки › ST Microelectronics › STGAP2SICSC, Galvanically Isolated Gate ...

STGAP2SICSC, Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1815 шт., срок 8-10 недель

2 590 ֏

от 10 шт. — 1 840 ֏

от 250 шт. — 1 520 ֏

от 500 шт. — 1 340 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 590 ֏

Номенклатурный номер: 8004828482

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Power Management ICs\Isolated Gate Drivers

STGAP2SiCD Galvanically Isolated Dual Gate Driver

STMicroelectronics STGAP2SiCD Galvanically Isolated 4A Dual Gate Driver is designed for galvanic isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The STGAP2SiCD gate driver is defined by 4A current capability and rail-to-rail outputs, ideal for mid and high power applications such as power conversion and industrial motor drivers inverters.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Configuration:	Non-Inverting
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	800
Fall Time:	30 ns
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+125 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Moisture Sensitive:	Yes
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Drivers:	1 Driver
Number of Outputs:	1 Output
Output Current:	4 A
Package / Case:	SO-8W
Packaging:	Tube
Product Category:	Isolated Gate Drivers
Product Type:	Isolated Gate Drivers
Product:	Isolated Gate Drivers
Propagation Delay - Max:	90 ns
Rise Time:	30 ns
Series:	STGAP2SICS
Subcategory:	PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max:	5.5 V
Supply Voltage - Min:	3 V
Technology:	SiC
Type:	Half-Bridge
IC Case / Package	WSOIC
Задержка Выхода	75нс
Задержка по Входу	75нс
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Конфигурация Привода	Полумост
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальное Напряжение Питания	26В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	16.4В
Стиль Корпуса Привода	WSOIC
Тип переключателя питания	MOSFET
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3-168 часов
Вес, г	0.15