SI4435DDY-T1-E3, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -8,1А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
510 ֏
от 50 шт. —
400 ֏
от 250 шт. —
333 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 1 920 ֏
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -8,1А, 2,5Вт, SO8
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.4 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Part # Aliases: | SI4435DDY-E3 |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 32 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
| Series: | SI4 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.18 |
