HMC717ALP3E, RF Amplifier GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier, 4.8 to 6.0 GHz

Фото 1/3 HMC717ALP3E, RF Amplifier GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier, 4.8 to 6.0 GHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 400 ֏
от 10 шт.15 800 ֏
от 25 шт.13 600 ֏
от 100 шт.11 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 18 400 ֏
Номенклатурный номер: 8004975032
Бренд: Analog Devices

Описание

Полупроводниковые приборы\Модули беспроводной связи и РЧ интегральные схемы\РЧ-усилитель
РЧ-усилитель LNA w/ Adj Bias, 4.9 to 6.0GHz

Технические параметры

NF - коэффициент шумов 1.3 dB
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка 29.5 dBm
P1dB - точка сжатия 18 dBm
Pd - рассеивание мощности 520 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Входные потери на отражение 9 dB
Категория продукта РЧ-усилитель
Количество каналов 1 Channel
Максимальная рабочая температура + 85 C
Минимальная рабочая температура 40 C
Подкатегория Wireless RF Integrated Circuits
Рабочая частота 4.8 GHz to 6 GHz
Рабочее напряжение питания 3 V to 5 V
Рабочий ток источника питания 68 mA
Размер фабричной упаковки 85
Серия HMC717
Технология GaAs
Тип Low Noise Amplifier
Тип продукта RF Amplifier
Торговая марка Analog Devices
Упаковка Cut Tape
Упаковка / блок QFN-16
Усиление 14.5 dB
Количество Выводов 16вывод(-ов)
Максимальная Частота 6ГГц
Максимальное Напряжение Питания 5.5В
Минимальная Частота 4.8ГГц
Минимальное Напряжение Питания 2.7В
Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы QFN-EP
Типичное Значение Коэффициента Шума 1.3дБ
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Automotive No
Maximum Operating Supply Voltage - (V) 5
Maximum Supply Current - (mA) 100@5V
Military No
Pin Count 16
Standard Package Name CSP
Supplier Package LFCSP EP
Typical Noise Figure - (dB) 1.3@6000MHz
Typical Output Power Range - (dBm) 15 to 20
Typical Power Gain - (dB) 16.5@6000MHz
Вес, г 0.9

Техническая документация

Datasheet HMC717ALP3E
pdf, 792 КБ
hmc717a
pdf, 1079 КБ
Документация
pdf, 573 КБ