MAX22701EASA+, Gate Drivers Ultra-High CMTI Silicon-Carbide (SiC) ga
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 400 ֏
от 10 шт. —
4 980 ֏
от 100 шт. —
3 880 ֏
от 200 шт. —
3 430 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 400 ֏
Описание
Питание\ИС для управления питанием\Драйверы для управления затвором
Драйверы для управления затвором Ultra-High CMTI Silicon-Carbide (SiC) gate driver
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 750.89 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 3.6 ns |
Время спада | 2.5 ns |
Выходное напряжение | 19.95 V |
Задержка распространения - макс. | 36 ns |
Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
Количество выходов | 1 Output |
Количество драйверов | 1 Driver |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение питания - макс. | 36 V |
Напряжение питания - мин. | 13 V |
Отключение | Shutdown |
Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
Продукт | Isolated Gate Drivers |
Рабочий ток источника питания | 5 mA, 6 mA |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Средства разработки | MAX22701EVKIT |
Технология | SiC |
Тип | High Side, Low Side |
Тип логики | CMOS |
Тип продукта | Gate Drivers |
Торговая марка | Maxim Integrated |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SOIC-8 |
Чувствительный к влажности | Yes |
IC Case / Package | NSOIC |
Задержка Выхода | 35нс |
Задержка по Входу | 35нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 1канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
Максимальное Напряжение Питания | 5.5В |
Минимальное Напряжение Питания | 3В |
Стиль Корпуса Привода | NSOIC |
Тип переключателя питания | GaN HEMT, SiC MOSFET |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Вес, г | 2.455 |
Техническая документация
Datasheet MAX22701EASA+
pdf, 1213 КБ
Похожие товары