2SC3649T-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
от 100 шт. —
381 ֏
от 500 шт. —
332 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 180 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 130 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -1.5 A, 1.5 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 120 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | 2SC3649 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 355 КБ
Похожие товары
![AT45DB041E-SSHN-T, Флэш-память, SPI, 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages), 85МГц [SOIC-8-0.154]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![24LC256-I/P, Последовательная энергонезависимая память, 256K, 24LC256 [DIP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304706.jpg)
