AS6C4016-55ZIN

Фото 1/3 AS6C4016-55ZIN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 500 ֏
от 2 шт.7 800 ֏
от 4 шт.7 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 500 ֏
Номенклатурный номер: 8002021090

Описание

Электроэлемент
Описание IC: SRAM memory; 256kx16bit; 2.7?5.5V; 55ns; TSOP44 II; parallel Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид SRAM

Технические параметры

Access Time 55 ns
Brand Alliance Memory
Factory Pack Quantity 135
Interface Type Parallel
Manufacturer Alliance Memory
Maximum Operating Temperature +85 C
Memory Size 4 Mbit
Memory Type SDR
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Operating Temperature Range -40 C to+85 C
Organization 256 k x 16
Package / Case TSOP II-44
Packaging Tray
Product Category SRAM
RoHS Details
Series AS6C4016
Supply Current - Max 60 mA
Supply Voltage - Max 5.5 V
Supply Voltage - Min 2.7 V
Type Asynchronous
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 44-TSOP II
Technology SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply 2.7V ~ 5.5V
Write Cycle Time - Word, Page 55ns
Address Bus Width 18bit
Low Power Yes
Maximum Operating Supply Voltage 5.5 V
Maximum Random Access Time 55ns
Minimum Operating Supply Voltage 2.7 V
Number of Bits per Word 16bit
Number of Words 256k
Organisation 256k x 16 bit
Package Type TSOP
Pin Count 44
Timing Type Asynchronous
Width 10.3mm
Вес, г 4.571

Техническая документация

Datasheet AS6C4016-55ZIN
pdf, 629 КБ
Datasheet AS6C4016-55ZIN
pdf, 601 КБ