Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Микросхемы памяти › Cypress › FM25V05-GTR, , микросхема памяти

FM25V05-GTR, , микросхема памяти

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 240 ֏

Кратность заказа 2 шт.

от 10 шт. — 2 100 ֏

от 20 шт. — 1 920 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 4 480 ֏

Номенклатурный номер: 8010989071

Бренд: Cypress Semiconductor

Описание

МИКРОСХЕМЫ\Микросхемы памяти

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces.

Технические параметры

Интерфейс	spi
Корпус	SOIC-8
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	3
Диапазон рабочих температур	-40…+85 °С
Напряжение питания	2…3.6 В
Описание	512Kит(64KX8)2.0-3.6V F-RAM Serial(SPI)F-RAM
Память	512Kит(64KX8)2.0-3.6V F-RAM
Тип	М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Тип монтажа	поверхностный(SMT)
Транспортная упаковка: размер/кол-во	594650/500
Упаковка	REEL, 2500 шт.
Частота	40 МГц
Automotive Standard	AEC-Q100
Data Bus Width	8bit
Interface Type	SPI
Maximum Operating Supply Voltage	3.6 V
Maximum Operating Temperature	+85 °C
Maximum Random Access Time	18ns
Memory Size	512kbit
Minimum Operating Supply Voltage	2 V
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Bits per Word	8bit
Number of Words	64k
Organisation	64K x 8 bit
Package Type	SOIC
Pin Count	8
Width	3.98mm
Вес, г	5