BP104
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 740 ֏
от 2 шт. —
1 350 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 740 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Точечный ИК-фотодиод, 950нм, 130°, Монтаж THT Характеристики | Монтаж | THT |
Технические параметры
| Dark Current | 30(nA) |
| Dark Current (Max) | 30 nA |
| Fall Time | 100(ns) |
| Lens Type | Epoxy |
| Light Current | 45(uA) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temp Range | -40C to 100C |
| Operating Temperature Classification | Industrial |
| Package Type | TO-5 |
| Packaging | Bulk |
| Peak Wavelength | 950(nm) |
| Photodiode Material | Si |
| Photodiode Type | PIN |
| Pin Count | 2 |
| Polarity | Forward |
| Power Dissipation | 0.215(W) |
| Rad Hardened | No |
| Reverse Breakdown Voltage | 60(V) |
| Rise Time | 100(ns) |
| Type | Chip |
| Amplifier Function | No |
| Breakdown Voltage | 60V |
| Diode Material | Si |
| Maximum Wavelength Detected | 1050nm |
| Minimum Wavelength Detected | 870nm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Pins | 2 |
| Series | BP1 |
| Short Circuit Current | 38µA |
| Spectrums Detected | Infrared |
| Typical Fall Time | 100ns |
| Typical Rise Time | 100ns |
| Wavelength of Peak Sensitivity | 950nm |
| Width | 4.3mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 88 КБ
Документация
pdf, 106 КБ