BT168G,112, Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 шт. с центрального склада, срок 3 недели
185 ֏
от 30 шт. —
118 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 185 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8018779496
Бренд: WEEN SEMICONDUCTORS
Описание
Описание Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А
Технические параметры
| Brand: | WeEn Semiconductors |
| Breakover Current IBO Max: | 9 A |
| Current Rating: | 500 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Gate Trigger Current - Igt: | 50 uA |
| Gate Trigger Voltage - Vgt: | 0.5 V |
| Holding Current Ih Max: | 2 mA |
| Manufacturer: | WeEn Semiconductors |
| Maximum Gate Peak Inverse Voltage: | 5 V |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Non Repetitive On-State Current: | 8 A |
| Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: | 50 uA |
| On-State RMS Current - It RMS: | 800 mA |
| Package / Case: | SOT-54-3 |
| Part # Aliases: | 934042490112 |
| Product Category: | SCRs |
| Product Type: | SCRs |
| Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: | 600 V |
| Subcategory: | Thyristors |
| Type: | SCR |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet BT168G.112
pdf, 255 КБ
Datasheet BT168GW
pdf, 234 КБ
TS106-142
pdf, 141 КБ
Отечественные тиристоры и симисторы мощные
pdf, 515 КБ
Тиристоры отечественные
pdf, 384 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
