IRFBG30PBF, , N-канальный MOSFET транзистор , 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
468 ֏
Кратность заказа 25 шт.
от 100 шт. —
417 ֏
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 11 700 ֏
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Время | задержки включения/выключения-25/29 нс | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 980 | |
| Заряд затвора, нКл | 80 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 1000 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 5 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-125 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4В | |
| Описание | MOSFET 1000V N-CH HEXFET | |
| Способ монтажа | Through Hole | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Упаковка | TUBE, 1000 шт. | |
| Вес, г | 2 |
