GBU8M-E3/45, Диодный мост 8А 1000В

Фото 1/4 GBU8M-E3/45, Диодный мост 8А 1000В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
421 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 105 ֏
Номенклатурный номер: 8026474258

Описание

Диоды и тиристоры / Диодные мосты / Выпрямительные мосты
Диодный мост 8А 1000В

Технические параметры

Корпус gbu
Bridge Type Single Phase
Configuration Single
Diode Technology Silicon Junction
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type GBU
Peak Average Forward Current 8A
Peak Forward Voltage 1V
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current 200A
Peak Reverse Current 5µA
Peak Reverse Repetitive Voltage 1000V
Pin Count 4
Width 3.56mm
Brand: Vishay General Semiconductor
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 800
Ir - Reverse Current: 5 uA
Manufacturer: Vishay
Max Surge Current: 200 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: GBU
Packaging: Tube
Part # Aliases: GBU8M-E3/51
Peak Reverse Voltage: 1 kV
Product Category: Bridge Rectifiers
Product Type: Bridge Rectifiers
REACH - SVHC: Details
Subcategory: Diodes & Rectifiers
Termination Style: Solder Pad
Type: Single Phase Bridge
Vf - Forward Voltage: 1 V
Vr - Reverse Voltage: 700 V
Automotive No
Military No
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tube
Peak Average Forward Current - (A) 8
Peak Forward Voltage - (V) 1
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) 200
Peak Reverse Current - (uA) 5
Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) 1000
Peak RMS Reverse Voltage - (V) 700
Standard Package Name Case GBU
Supplier Package Case GBU
Вес, г 6.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 105 КБ
Datasheet GBU8M-E3/45
pdf, 85 КБ
Документация
pdf, 113 КБ