SISS23DN-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISS23DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 500 шт. —
850 ֏
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 24 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 27 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 11.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Width | 3.3mm |
| Вес, г | 0.35 |
