MJD31CT4-A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 690 ֏
от 2 шт. —
2 380 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 690 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Cas
Технические параметры
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Continuous Collector Current | 3А |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Power Dissipation | 15Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | - |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet MJD31CT4-A
pdf, 401 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 19 июня1 | бесплатно |
| HayPost | 23 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг