IRFPC40
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 300 ֏
от 2 шт. —
1 830 ֏
от 5 шт. —
1 510 ֏
от 10 шт. —
1 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 300 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 4,3А, 150Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.8A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 4.1A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.8 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 60(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 60(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 18 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 55 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-247AC |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 20.82(Max) |
| Package Length | 15.87(Max) |
| Package Width | 5.31(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IRFPC |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Drain Source On State Resistance | 1.2Ом |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 6.8А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.2Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1494 КБ
Datasheet IRFPC40PBF
pdf, 1507 КБ
Datasheet IRFPC40PBF
pdf, 1494 КБ
Документация
pdf, 1498 КБ