2SD1834T100, Darlington Transistors DARL NPN 60V 1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1953 шт., срок 8-10 недель
870 ֏
от 10 шт. —
740 ֏
от 100 шт. —
463 ֏
от 500 шт. —
374 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 1 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 2000 |
DC Current Gain hFE Max | 2000 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT | 150 MHz |
Height | 1.5 mm |
Length | 4.5 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Collector Cut-off Current | 1 uA |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-89-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 0.5 W |
Product Category | Darlington Transistors |
RoHS | Details |
Series | 2SD1834 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.004603 oz |
Width | 2.5 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum Continuous Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 2000 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | MPT |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг