2SB1181TLQ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1063 шт., срок 8-10 недель
1 190 ֏
от 10 шт. —
920 ֏
от 100 шт. —
670 ֏
от 500 шт. —
510 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 190 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 1A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 10 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | 2SB1181 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | CPT-3 |
| Ширина | 5.5 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 451 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг